Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB03N03LB G
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB03N03LB G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
787 Piese Noi Originale În Stoc
12800506
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB03N03LB G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7624 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB03N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB03N03LB G-DG
Fișe tehnice
IPB03N03LB G
Informații suplimentare
Alte nume
IPB03N03LBGINDKR
IPB03N03LBGXT
IPB03N03LBG
IPB03N03LB G-DG
IPB03N03LBGINCT
SP000103300
IPB03N03LBGINTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN3R4-30BLE,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
3903
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN3R4-30BLE,118-DG
PREȚ UNIC
0.88
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN2R7-30BL,118
PRODUCĂTOR
NXP USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
1450
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN2R7-30BL,118-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPB80N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7